Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current

Описание на русском:
Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)

Статус документа:

Действующий

Формат:

Электронный (PDF)

Количество страниц:

Срок поставки (английская версия):

2 рабочих дня(ей)

Срок поставки (русская версия):

1 рабочий день

Артикул (SKU):

GOST13017

ГОСТ 18604.27-86

Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current

Также интересуются следующими документами