IEC TS 62607-12-3-2026 PDF
Название на английском:
St IEC TS 62607-12-3-2026
Название на русском:
Ст IEC TS 62607-12-3-2026
Описание на русском:
Нанопроизводство - Основные контрольные характеристики - Часть 12-3- 2D продукты, связанные с материалами - Высота барьера Шоттки для полевых транзисторов на основе материала 2D - температурно-зависимые измерения тока-напряжения. IEC TS 62607-12-3:2026-06(en). Оригинальный стандарт IEC TS 62607-12-3-2026 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Описание на английском:
Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 12-3- 2D material-related products - Schottky barrier heights of 2D material-based field-effect transistors- temperature-dependent current-voltage measurements. IEC TS 62607-12-3:2026-06(en). Original standard IEC TS 62607-12-3-2026 in PDF full version. Additional info + preview on request
Статус документа:
Действующий
Формат:
Электронный (PDF)
Количество страниц:
22
Срок поставки (английская версия):
1 рабочий день
Срок поставки (русская версия):
3 рабочих дня(ей)
Артикул (SKU):
stiec11138
More technical details are being prepared for this document.