STM PDF
Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства - Часть 8- Полевые транзисторы - Раздел 3- Форма частных технических условий полевых транзисторов с номинальным корпусом для коммутационных приложений. CEI/IEC 747-8-3:1995. Оригинальный стандарт IEC 60747-8-3-1995 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Статус: Заменен Ст IEC 60747-8-2021
Дискретные полупроводниковые устройства - Часть 8-4- Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (MOSFET) для приложений переключения мощности. IEC 60747-8-4:2004. Оригинальный стандарт IEC 60747-8-4-2004 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Статус: Заменен Ст IEC 60747-8-2021
Полупроводниковые приборы - Часть 9- Дискретные устройства - Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). IEC 60747-9:2019-11(en-fr). Оригинальный стандарт IEC 60747-9-2019 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Статус: Действующий
Полупроводниковые приборы - Интегральные схемы - Часть 1- Общие положения. IEC 60748-1:2002. Оригинальный стандарт IEC 60748-1-2002 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Статус: Действующий
Полупроводниковые приборы - Интегральные схемы - Часть 11-1- Внутренний визуальный осмотр полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем. CEI/IEC 748-11-1:1992. Оригинальный стандарт IEC 60748-11-1-1992 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Статус: Действующий
Полупроводниковые приборы - Интегральные схемы - Часть 11- Групповые технические условия для полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем. CEI/IEC 748-11:1990. Оригинальный стандарт IEC 60748-11-1990 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Статус: Действующий