STM PDF

Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства - Часть 8- Полевые транзисторы - Раздел первый- Форма частных технических условий для однозатворных полевых транзисторов до 5 W и 1 GHz. CEI/IEC 60747-8-1:1987. Оригинальный стандарт IEC 60747-8-1-1987 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Утратил силу

Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства - Часть 8- Полевые транзисторы - Раздел второй- Форма частных технических условий полевых транзисторов для усилителей мощности с номинальным корпусом. CEI/IEC 747-8-2:1993. Оригинальный стандарт IEC 60747-8-2-1993 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Заменен Ст IEC 60747-8-2021

Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства - Часть 8- Полевые транзисторы. IEC 60747-8:2010-12+AMD1:2021-06 CSV(en). Оригинальный стандарт IEC 60747-8-2021 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Действующий

Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства - Часть 8- Полевые транзисторы - Раздел 3- Форма частных технических условий полевых транзисторов с номинальным корпусом для коммутационных приложений. CEI/IEC 747-8-3:1995. Оригинальный стандарт IEC 60747-8-3-1995 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Заменен Ст IEC 60747-8-2021

Дискретные полупроводниковые устройства - Часть 8-4- Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (MOSFET) для приложений переключения мощности. IEC 60747-8-4:2004. Оригинальный стандарт IEC 60747-8-4-2004 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Заменен Ст IEC 60747-8-2021

Полупроводниковые приборы - Часть 9- Дискретные устройства - Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). IEC 60747-9:2019-11(en-fr). Оригинальный стандарт IEC 60747-9-2019 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Действующий